英特爾和ASML強化合作關係，驅動High-NA高數值孔徑於2025年進入生產階段

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為推進尖端半導體微影技術發展，ASML和英特爾公司於今日宣布，其長遠合作的最新階段發展。作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的框架內容，英特爾已向ASML下訂業界首台TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單；這是款具備High-NA的極紫外光（EUV）大量生產系統，每小時具備200片以上晶圓產能。

「英特爾的遠見和對ASML High-NA EUV的早期承諾，為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV系統，我們持續創新拓展EUV路線圖，進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量，提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。」－Martin van den Brink，ASML總裁暨技術長。

 

英特爾於去年7月Accelarated活動中宣布，其部署首款High-NA技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系統的首位買家，透過今日所宣布的新訂購案，其合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

 

「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位，去年我們持續不斷地打造我們的EUV專業知識和能力。透過與ASML的密切合作，我們將汲取High-NA EUV的高階析度圖案化優勢，作為延續摩爾定律的其中一個方式，並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」Ann Kelleher博士，英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理。

 

EXE平台為EUV技術的演化步驟，其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系統與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的0.55數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

 

EUV 0.55 NA為2025年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在2021年的投資者關係日，ASML分享其EUV路線圖規劃，並表示High-NA技術有望自2025開始支援生產製造。今日聲明與此路線圖規劃一致。

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